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--- de:parts:zip_ram [2016/01/23 04:45] – Bild und engl.Text MWanke
+++ de:parts:zip_ram [2024/09/22 00:26] (aktuell) – Externe Bearbeitung 127.0.0.1
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 [{{:de:parts:zip_ram_socket.jpg?250  |ZIP-Ram und Sockel}}]
-The zig-zag in-line package or ZIP was a short-lived packaging technology for integrated circuits, particularly dynamic RAM chips. It was intended as a replacement for dual in-line packaging (DIL or DIP). A ZIP is an integrated circuit encapsulated in a slab of plastic with 20 or 40 pins, measuring (for the ZIP-20 package) about 3 mm x 30 mm x 10 mm. The package's pins protrude in two rows from one of the long edges. The two rows are staggered by 1.27 mm (0.05"), giving them a zig-zag appearance, and allowing them to be spaced more closely than a rectangular grid would allow. The pins are inserted into holes in a printed circuit board, with the packages standing at right-angles to the board, allowing them to be placed closer together than DIPs of the same size. ZIPs have now been superseded by surface-mount packages such as the thin small-outline packages (TSOPs) used on single-in-line memory modules (SIMMs) and dual-in-line memory modules (DIMMs).
+Das "zig-zag in-line package" oder "ZIP" war eine Gehäusebauform für integrierte Schaltkreise, welche nur relativ kurz zum Einsatz kam, zumeist bei dynamischen RAMs. Es war als Ersatz für das "dual in-line packaging (DIL or DIP)" gedacht.
-<awbox translate>
-Übersetzung gesucht
-{{:de:baustelle.gif|Baustelle}}
-</awbox>
+Ein ZIP Baustein ist ein integrierter Schaltkreis eingekapselt zwischen zwei länglichen Plastikscheiben mit 20 oder 40 Anschlüssen (Pins).\\
+Ein ZIP-20 Baustein hat in etwa die Abmaße 3 mm x 30 mm x 10 mm.
+Die Pins ragen in zwei Reihen an einer der langen Seiten des Bausteins heraus. Die Reihen sind um 1.27 mm (0.05'') in einer Zickzack Linie versetzt angeordnet, wodurch sie platzsparender platziert werden können als in einer rechteckigen Anordnung.
+Die Pins werden in Löcher in der Platine gesteckt, sodaß die Bausteine in einem rechten Winkel dazu stehen und so enger aneinander gereiht werden können als DIP Bausteine der gleichen Größe.
+ZIP Bausteine wurden von SMD Bauformen abgelöst wie dem "small-outline package (TSOP)", welches z.B. für [[de:parts:simm]] (single-in-line memory module) und DIMM [[de:parts:ram]] Module (dual-in-line memory module) verwendet wurde.
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 |HYB511000BZ|NEC|1 M x 1Bit| |page mode|Dynamic RAM Low Power|
-|KM41C4000Z |?|4M x 1Bit| |Fast Page Mode|CMOS Dynamic RAM|
+|KM41C4000Z|Samsung|4M x 1Bit| |Fast Page Mode|CMOS Dynamic RAM|
+|KM44C1000Z-8|Samsung|4MBit|80ns|Fast Page Mode|CMOS Dynamic RAM|
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